[20p-E301-1~9] 窒化物半導体エッチング技術　〜高制御性と低損傷性を求めて〜

[20p-E301-7] 界面顕微光応答法によるエッチングしたGaN表面の2次元評価

〇塩島 謙次¹ (1.福井大院工)

キーワード：ショットキー電極、エッチング、界面顕微光応答法

我々は1989年にショットキー電極の電気的特性を非破壊で２次元評価出来る界面顕微光応答法を開発した。開発当初は光源に近赤外光を用い、Si, 及びGaAsショットキー電極,その後、可視光、近紫外光を用いて、GaN, SiC, IGZO, 及びGa₂O₃の幅広い材料で界面反応、結晶欠陥、高電界印加劣化過程を評価している。本講演では我々がこれまでに得られたエッチングしたGaN表面の2次元評価を発表する。