[20p-E301-1~9] 窒化物半導体エッチング技術　〜高制御性と低損傷性を求めて〜

[20p-E301-8] 塩素中性粒子ビームエッチングによるGaN HEMT高信頼化

〇菅原 健太¹、岡田 政也¹、市川 弘之¹、井上 和孝¹、大堀 大介²、寒川 誠二^2,3 (1.住友電工、2.東北大流体研、3.東北大AIMR)

キーワード：エッチング、窒化ガリウム、中性粒子ビーム

GaN HEMTミリ波帯応用のための薄層化・微細化によって、閾値変動等の信頼性課題が顕在化する。ゲート形成時の絶縁膜ドライエッチング加工損傷が要因と考えられ、塩素中性粒子ビームエッチング(Cl₂ NBE)法を用いた加工損傷低減を検討した。Cl₂ NBEで処理したデバイスは、一般的なCF₄プラズマエッチング品と比較して高温DC通電前後の閾値変動が殆どない。これはCl₂ NBE法が加工損傷を大幅に抑制し、信頼性向上に極めて有効なことを示すものである。