2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21a-B31-1~8] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2019年9月21日(土) 09:00 〜 11:15 B31 (B31)

阿部 友紀(鳥取大)

11:00 〜 11:15

[21a-B31-8] In2O3のハライド気相成長におけるIn原料分子種の影響

長井 研太1、田中 那実1、税本 雄也1、富樫 理恵2、竹川 直1、後藤 健1、熊谷 義直1,3 (1.東京農工大、2.上智大理工、3.東京農工大IGIR)

キーワード:酸化インジウム、ハライド気相成長法、熱力学解析