[21a-E301-1~13] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[21a-E301-10] Ti/Al thickness dependence of ohmic contact resistances for AlGaN/AlN/GaN HEMT structures with thin AlGaN barrier layer

〇Yoshimi Yamashita¹, Issei Watanabe¹, Akifumi Kasamatsu¹ (1.NICT)

Keywords:GaN, HEMT, AlGaN

GaN系HEMTは高周波パワーデバイスとして期待されており、高い高周波特性は、数nm以下の薄膜バリア層を用いた低コンタクト抵抗が必要不可欠で、f_T = 450 GHz、f_max = 600 GHzが報告されている^[1]。本報告では、AlGaNバリア層を5 nmから2 nmまで薄膜化したAlGaN/AlN/GaN HEMT構造におけるコンタクト抵抗のTi/Alオーミックメタル膜厚依存性を検討した。