The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

Presentation information

Oral presentation

13 Semiconductors » 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[10a-W934-1~11] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

Sun. Mar 10, 2019 9:00 AM - 12:00 PM W934 (W934)

Koichiro Saga(Sony), Takashi Hasunuma(Univ. of Tsukuba)

11:00 AM - 11:15 AM

[10a-W934-8] High-Field Electron Transport Analysis Based on The Barker-Ferry Equation

〇(M2)Shintaro Makihira1, Nobuya Mori1 (1.Osaka Univ.)

Keywords:widegap, high field, intracollisional field effect

SiC, GaN などの広い禁止帯を持つ半導体は,絶縁破壊電界が数MV/cm と高く,パワーデバイス応用に向けて,Si に代わる半導体材料として注目されている.数MV/cm 程度の印加電界のもとでは,散乱中に電子が加速される散乱内電界効果(ICFE) などの量子効果が重要な役割を演じると予想されている.本研究では,ICFEを考慮可能な輸送方程式であるBarker-Ferry 方程式を用いて,単純化した1次元半導体における高電界輸送特性を解析した.