[10p-W922-1~8] イオン注入技術の進展　〜Si、GaAsから最先端WBG半導体まで〜

[10p-W922-4] 3次元SiC－MOSFETにおける不純物層設計技術

〇久本 大¹、手賀 直樹¹、谷 和樹¹、須藤 建瑠¹、毛利 友紀¹ (1.日立研開)

キーワード：ワイドギャップ半導体、SiC MOSFETs、3次元構造

ワイドギャップ半導体では、絶縁破壊耐圧が高いため、シリコンの場合と異なり、「如何に酸化膜を守るか」を主眼として、デバイスを設計することが求められる。SiCの進んだイオン打ち込み技術を活用することで、3次元SiC MOSFET構造中に有効な不純物拡散層を形成することができる。これにより、ワイドギャップ半導体デバイスでも、実用レベルの信頼性や特性を確保できることを明らかにする。