[11a-M121-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[11a-M121-3] Post Atmospheric Pressure Thermal-Plasma-Jet Irradiation annealing of Magnesium implanted in Ga-face GaN layer

〇Hiroaki Hanafusa¹, Seiichiro Higashi¹, Koji Shiozaki² (1.HIroshima Univ., 2.Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, Pressure Thermal-Plasma-Jet, Activation of Mg

我々は短時間で高温熱処理が可能な大気圧熱プラズマジェット(TPJ)を用いてGa極性面GaN層にイオン注入したMgの不純物活性化熱処理を表面保護膜無しで行い、PN接合が形成されていると考えられる結果を報告した[1]。TPJアニールによる不純物活性化熱処理後にRTAを施すことでさらにMg不純物の活性化が促進されていると考えられる電気特性およびPL発光の結果が得られたので報告する。