The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[11a-M121-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

Mon. Mar 11, 2019 9:00 AM - 12:15 PM M121 (H121)

Masashi Kato(NITech)

9:30 AM - 9:45 AM

[11a-M121-3] Post Atmospheric Pressure Thermal-Plasma-Jet Irradiation annealing of Magnesium implanted in Ga-face GaN layer

Hiroaki Hanafusa1, Seiichiro Higashi1, Koji Shiozaki2 (1.HIroshima Univ., 2.Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, Pressure Thermal-Plasma-Jet, Activation of Mg

我々は短時間で高温熱処理が可能な大気圧熱プラズマジェット(TPJ)を用いてGa極性面GaN層にイオン注入したMgの不純物活性化熱処理を表面保護膜無しで行い、PN接合が形成されていると考えられる結果を報告した[1]。TPJアニールによる不純物活性化熱処理後にRTAを施すことでさらにMg不純物の活性化が促進されていると考えられる電気特性およびPL発光の結果が得られたので報告する。