[11a-M121-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[11a-M121-6] Low temperature behavior of deep level traps introduced by electron beam irradiation in homoepitaxial n-type GaN

〇Meguru Endo¹, Masahiro Horita^2,3, Jun Suda^2,3 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. Graduate School, 3.IMaSS Nagoya Univ.)

Keywords:Gallium Nitride, Point Defect, electron beam

GaNにおける深い準位について理解を深めるべく，我々は，意図的に点欠陥を導入し，形成される深い準位との相関を調べることに取り組んでいる．これまで，エネルギー401 keVの電子線を照射することによってGaN中のN原子変位を意図的に発生させ，2つの深い準位EE1(E_c-0.13 eV)およびEE2(E_c-0.9 eV)がDLTS測定によって観測されることを報告してきた．本研究では，これまでよりも高いフルエンスの電子線照射を行い，EE1を詳細に評価したので報告する．