[11a-M121-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-M121-9] SiNキャップ層高温熱処理によりGaN中に導入される深い準位

〇古田 悟夢¹、堀田 昌宏^2,3、田中 成明⁴、岡 徹⁴、須田 淳^2,3 (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研、4.豊田合成)

キーワード：窒化ガリウム、GaN、DLTS

イオン注入後やプロセスダメージの回復のために高温熱処理(アニール)が行われる。高温熱処理には欠陥の回復効果が期待される一方、新たな欠陥生成の恐れもある。本研究ではn型GaNホモエピタキシャル成長層に対してSiNキャップ層を形成後に高温熱処理を行い、その後キャップ層を除去してショットキー電極を形成しGaN中に生成される深い準位とその深さ分布について詳しく調べたので報告する。