[11p-W641-1~14] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [11p-W641-1] Si基板内部に形成されるプラズマ誘起ダメージの電気的欠陥プロファイル解析手法の最適化

〇濱野 誉¹、占部 継一郎¹、江利口 浩二¹ (1.京大院工)

キーワード：プラズマエッチング、プラズマ誘起ダメージ、Si