The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[11p-W641-1~14] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

Mon. Mar 11, 2019 1:45 PM - 5:30 PM W641 (W641)

Daisuke Ogawa(Chubu Univ.), Kazunori Shinoda(HITACHI)

2:00 PM - 2:15 PM

[11p-W641-2] Detailed structure analysis of plasma-induced damage in silicon nitride films using conductance method

Tomohiro Kuyama1, Keiichiro Urabe1, Koji Eriguchi1 (1.Kyoto Univ.)

Keywords:plasma-induced damage, conductance method, silicon nitride

プラズマによる欠陥形成がデバイス特性へ与える影響を理解するには,欠陥量やそのエネルギー準位など,欠陥の詳細構造を明らかにすることが重要である.今回我々は,プラズマ曝露されたSiN膜のダメージ層とバルク層が分離された構造を等価回路で表現し,欠陥を反映するダメージ層のコンダクタンス(Gp)を測定した.講演では,特定の直流印加電圧に対して現れたGp/ωピーク面積から,欠陥の面密度とエネルギー準位を解析した結果を報告する.