[11p-W641-1~14] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[11p-W641-3] 【Highlight】Generation & annihilation of plasma-induced defects ~ H-induced defects in c-Si ~

〇Shota Nunomura¹, Isao Sakata¹, Koji Matsubara¹ (1.AIST RCPV)

Keywords:Silicon, defects, Hydrogen

半導体デバイス内の水素に起因する欠陥の発生と修復を理解し制御することは、デバイスの性能や信頼性の向上に向け極めて重要である。筆者等は、これまでに、プラズマプロセス下において、結晶シリコン内の光電流を計測する予備実験を行い、以下の結果を報告してきた。(i)水素プラズマ処理に伴い結晶シリコン内に欠陥が発生すること、(ii)ポストアニールにより一部の欠陥が修復することを示した[1]。今回、水素プラズマの照射時間と処理温度を変えた実験を系統的に行い、欠陥の発生要因、発生場所、欠陥密度に関する知見を得ると共に、表面アモルファス相の形成について考察を行ったので報告する。[1] S. Nunomura et al., Phys. Rev. Appl. 10, 054006 (2018).