[12p-W541-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [12p-W541-10] In-situ curvature measurements for high-quality AlInN/GaN DBRs

〇(M1)Kei Hiraiwa¹, Wataru Muranaga¹, Sho Iwayama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Meijo Univ., 2.ARC Nagoya Univ.)

Keywords:DBR, AlInN, curvature

高品質AlInN/GaN DBR形成には、AlInNをGaNに格子整合させる組成制御が重要である。この組成制御の一つの手法として、その場ウエハ反り測定が挙げられ、AlInN/GaN DBRに関する報告もなされている。本報告では、AlInN層の高精度組成制御に向けて、その場ウエハ反り測定とその後X線回折測定における相関を検討した。その結果、成長温度に対する両者の傾向がよく一致するとともに、InNモル分率値の差異は0.5%以下であった。