[9p-M121-1~14] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [9p-M121-9] The effect of interface state on channel mobilty in GaN lateral MISFET

〇Yuto Ando¹, Tohru Nakamura², Manato Deki², Shigeyoshi Usami¹, Atsushi Tanaka^2,3, Hirotaka Watanabe², Maki Kushimoto¹, Shugo Nitta², Yoshio Honda², Hiroshi Amano^2,3,4,5 (1.Dept. of Elec., Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.NIMS, 4.ARC, Nagoya Univ., 5.VBL, Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, MISFET, interface states

窒化ガリウム(GaN)パワーMISFET において，導通損失を物性限界に近づけるためゲート絶
縁膜/GaN 界面におけるチャネル移動度の向上が必須である．Si MOSFET においてチャネル
でのキャリアの散乱要因は，ゲート電極から印可されるチャネルに対して垂直の実効電界強
度Eeff あるいは表面電子濃度Ns に依って異なることが知られている．以前我々はAl2O3/GaN
蓄積チャネル横型MISFET における実効チャネル移動度μeff の成分分離を行い，低電界領域
でのCoulomb 散乱を受けた移動度成分μCoulomb がSi MOSFET と同様Ns のべき乗に比例するこ
とを報告した．本研究ではμCoulomb への界面準位密度Dit の影響の解明を目的とする．