[9p-W371-1~16] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

△ [9p-W371-7] Characteristics of Carrier Mobility and Phonon Scattering by Controlling Spacing of Si Nanopillars in SiGe

〇(PC)Daisuke Ohori¹, Hidesato Kuboyama⁴, Masayuki Murata³, Atsushi Yamamoto³, Masahiro Nomura⁵, Kazuhiko Endo^1,3, Seiji Samukawa^1,2,3 (1.IFS, Tohoku Univ., 2.AIMR, Tohoku Univ., 3.AIST, 4.TUS, 5.IIS, Univ. of Tokyo)

Keywords:anisotropic thermal conductivity, Si nanopillar, neutral beam

センサ用自立電源では、低環境負荷なSiを用いた熱電変換素子が注目されている。Si薄膜における熱電変換素子では、Siにナノ構造を形成することで、絶対性能指数(ZT)の向上が図られている。しかしながら、ナノ材料を焼結し形成するために、材料特性のばらつきが大きく再現性を得ることが困難であるという問題がある。本研究では、間隔を制御した無欠陥SiナノピラーをSiGeで埋め込むことで起こる、熱伝導率異方性とキャリア輸送特性に与える影響を検討した。