一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
08:30 〜 08:45
〇柳 永シュン1、村上 勝久1、李 晓光2、根本 一正1、野田 周一1、田中 宏幸1、古賀 和博3、クンプアン ソマワン1,3、森田 行則1、松川 貴1、原 史朗1,3、竹口 雅樹2、長尾 昌善1 (1.産総研、2.物材研、3.ミニマルファブ)
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08:45 〜 09:00
〇竹下 俊弘1、クンプアン ソマワン1,2、根本 一正1、原 史郎1,2、小林 健1 (1.産総研、2.ミニマルファブ)
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09:00 〜 09:15
〇クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構)
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09:15 〜 09:30
〇田中 宏幸1、新堀 俊一郎2,3、岩瀬 千克2,3、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構、3.三友製作所)
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09:30 〜 09:45
〇谷島 孝1、クンプアン ソマワン1,2、前川 仁1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構)
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10:00 〜 10:15
〇Mickael Lozach1、Sommawan Khumpuang1,2、Shiro Hara1,2 (1.AIST, Device Technology Research Institute, Minimal System Group, Tsukuba、2.Minimal Fab Promoting Organization, AIST, Tsukuba)
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10:15 〜 10:30
〇佐藤 和重1,4、千葉 貴史1,4、寺田 昌男1,4、濱田 健吾1,4、中山 吉之3、金森 義明3、田中 宏幸2、加瀬 雅2、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研、3.東北大、4.坂口電熱)
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10:30 〜 10:45
〇小粥 敬成1、古賀 和博1、浜本 毅司1、野田 周一2、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研)
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10:45 〜 11:00
〇加瀬 雅1、古賀 和博2、ソマワン クンプアン1,2、原 史朗1,2 (1.産業技術総合研究所、2.ﾐﾆﾏﾙﾌｧﾌﾞ推進機構)
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11:00 〜 11:15
〇堀 健太1、渡部 亨1、羽深 等1 (1.横国大院理工)
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11:15 〜 11:30
室井 光子1、大谷 真奈1、〇羽深 等1 (1.横国大院工)
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