一般セッション(口頭講演)
[10p-Z08-11~17] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術
16:00 〜 16:30
Shinya Ota1,2、 Masaki Ono1、 Hiroki Matsumoto1,2、 Akira Ando2、 Tsuyoshi Sekitani2、 Ryuhei Kohno1、 Shogo Iguchi1、 Tomohiro Koyama2,1,3、 〇Daichi Chiba2,1,3 (1.The Univ. of Tokyo、2.ISIR, Osaka Univ.、3.CSRN, Osaka Univ.)
16:30 〜 16:45
〇Junta Igarashi1、 Butsurin Jinnai2、 Valentin Desbuis3、 Stephane Mangin3、 Shunsuke Fukami1,2,4,5,6、 Hideo Ohno1,2,4,5,6 (1.RIEC, Tohoku Univ.、2.WPI-AIMR, Tohoku Univ.、3.IJL, Lorraine Univ.、4.CSRN, Tohoku Univ、5.CSIS, Tohoku Univ、6.CIES, Tohoku Univ)
16:45 〜 17:00
〇Kohey Jono1、 Fumiaki Shimohashi1、 Michihiko Yamanouchi2、 Tetsuya Uemura1 (1.IST, Hokkaido Univ.、2.RIES, Hokkaido Univ.)
17:00 〜 17:15
〇(P)Nguyen HuynhDuy Khang1、 Soichiro Nakano1、 Takanori Shirokura1、 Yasuyoshi Miyamoto2,4、 Pham Nam Hai1,3,4 (1.Tokyo Tech.、2.NHK、3.Univ. Tokyo、4.JST-CREST)
17:15 〜 17:30
〇笠原 健司1、 眞砂 卓史1 (1.福岡大理)
17:30 〜 17:45
〇藤原 耕輔1、 大兼 幹彦2、 チャキル サブリ1、 熊谷 静似1、 有本 直3、 安藤 康夫1,2 (1.スピンセンシングファクトリー(株)、2.東北大、3.コニカミノルタ(株))
17:45 〜 18:00
〇(P)Mahmoud Rasly Eldesouky1、 Tomoya Nakatani1、 Jiangnan Li1、 Hossein Sepehri-Amin1、 Hiroaki Sukegawa1、 Yuya Sakuraba1 (1.NIMS)