〇(M2)Zhendong WU¹、 Kazuki Shida¹、 Takeaki Hamachi¹、 Yusuke Hayashi¹、 Tetsuya Tohei¹、 Masayuki Imanishi²、 Yusuke Mori²、 Kazushi Sumitani³、 Yasuhiko Imai³、 Shigeru Kimura³、 Akira Sakai¹ (1.Grad. Sch. Eng. Sci., Osaka Univ.、2.Grad. Sch. Eng., Osaka Univ.、3.JASRI)

14:15 〜 14:30

△ [11p-Z12-7] Si固相エピタキシー時に導入されるgrown-in欠陥の形成過程

〇(M1)茶圓将史¹、石丸学¹ (1.九工大)

14:30 〜 14:45

△ [11p-Z12-8] ANNポテンシャルを用いたSi結晶中の格子間Siクラスターの計算

〇(M1)大櫃万聖¹、横井逹矢²、野田祐輔³、永倉大樹¹、末岡浩治⁴ (1.岡山県大情報系工、2.名古屋大院工、3.金沢学院大経済情報、4.岡山県大情報工)

14:45 〜 15:00

△ [11p-Z12-9] ANNポテンシャルによるSi結晶中の安定な原子空孔クラスターの形態検証

〇(M1)後口拓登¹、横井達矢²、野田祐輔³、神山栄治⁴、大櫃万聖¹、永倉大樹¹、末岡浩治⁴ (1.岡山県大院情報系工、2.名古屋大院工、3.金沢学院大経済情報、4.岡山県大情報工)

15:00 〜 15:15

△ [11p-Z12-10] CZ-Si結晶成長中の点欠陥挙動に与える窒素の影響 (3)

〇谷口元春¹、末岡浩治²、宝来正隆³ (1.岡県大院情工、2.岡県大情工、3.SUMCO)

15:15 〜 15:30

△ [11p-Z12-11] HドープCZ-Si結晶成長中の点欠陥挙動に関する第一原理解析(3)

〇(M2)楠木琢也¹、末岡浩治²、杉村渉³、宝来正隆³ (1.岡山県立大院情報系工、2.岡山県立大情報工、3.SUMCO)

15:45 〜 16:00

△ [11p-Z12-12] Si結晶中の金属不純物の安定性に与える平面応力の影響

〇岩城浩也¹、末岡浩治²、鳥越和尚³、小野敏昭³ (1.岡山県大院情報系工、2.岡山県大情報工、3.株式会社 SUMCO)

16:00 〜 16:15

[11p-Z12-13] 「箱庭法」を用いた，pn接合部に対する金属元素のゲッタリング解析

〇神山栄治^1,2、永倉大樹²、末岡浩治² (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県大情報工)

16:15 〜 16:30

△ [11p-Z12-14] 高圧水素プラズマによる極薄ゲッタリング層の形成

〇野村俊光¹、木元健太¹、垣内弘章¹、安武潔¹、大参宏昌¹ (1.阪大大学院工学研究科)

16:30 〜 16:45

[11p-Z12-15] シリコン結晶基板の品質と点欠陥(4) 酸素析出の核形成と空孔の関係

〇井上直久¹ (1.大阪府大研究推進)

16:45 〜 17:00

[11p-Z12-16] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学（17）窒素の各種状態、STDと複ピーク

〇井上直久¹、川又修一¹、奥田修一¹ (1.大阪府立大学)

17:00 〜 17:15

[11p-Z12-17] シリコン結晶中の低濃度炭素の測定(ⅩⅩI) 炭素濃度の低減と測定法の進歩:Carbon engineering

〇井上直久¹、奥田修一¹、川又修一¹ (1.大阪府立大学)

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15 結晶工学 » 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[11p-Z12-1~17] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[11p-Z12-1] シリコン単結晶成長におけるリン濃度分布の蒸発フラックス依存性

[11p-Z12-2] 結晶成長過程における200 mm（8インチ）FZシリコンの面内抵抗率分布の数値解析

△ [11p-Z12-3] 電子線照射発光活性化PL法におけるSi結晶中炭素の検出下限

△ [11p-Z12-4] 電子線照射Si結晶で観測されるG線, C線の異常な励起光強度依存性

△ [11p-Z12-5] GaN高電子移動度トランジスタの内部構造評価
パワーデバイス用結晶の評価（XXXIII）

▼ [11p-Z12-6] Structural Analysis of Na-flux GaN by Nanobeam X-ray Diffraction:
Local Lattice Constant Variation Depending on the Growth Mode

△ [11p-Z12-7] Si固相エピタキシー時に導入されるgrown-in欠陥の形成過程

△ [11p-Z12-8] ANNポテンシャルを用いたSi結晶中の格子間Siクラスターの計算

△ [11p-Z12-9] ANNポテンシャルによるSi結晶中の安定な原子空孔クラスターの形態検証

△ [11p-Z12-10] CZ-Si結晶成長中の点欠陥挙動に与える窒素の影響 (3)

△ [11p-Z12-11] HドープCZ-Si結晶成長中の点欠陥挙動に関する第一原理解析(3)

△ [11p-Z12-12] Si結晶中の金属不純物の安定性に与える平面応力の影響

[11p-Z12-13] 「箱庭法」を用いた，pn接合部に対する金属元素のゲッタリング解析

△ [11p-Z12-14] 高圧水素プラズマによる極薄ゲッタリング層の形成

[11p-Z12-15] シリコン結晶基板の品質と点欠陥(4) 酸素析出の核形成と空孔の関係

[11p-Z12-16] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学（17）窒素の各種状態、STDと複ピーク

[11p-Z12-17] シリコン結晶中の低濃度炭素の測定(ⅩⅩI) 炭素濃度の低減と測定法の進歩:Carbon engineering

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[11p-Z12-1~17] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[11p-Z12-1] シリコン単結晶成長におけるリン濃度分布の蒸発フラックス依存性

[11p-Z12-2] 結晶成長過程における200 mm（8インチ）FZシリコンの面内抵抗率分布の数値解析

△ [11p-Z12-3] 電子線照射発光活性化PL法におけるSi結晶中炭素の検出下限

△ [11p-Z12-4] 電子線照射Si結晶で観測されるG線, C線の異常な励起光強度依存性

△ [11p-Z12-5] GaN高電子移動度トランジスタの内部構造評価パワーデバイス用結晶の評価（XXXIII）

▼ [11p-Z12-6] Structural Analysis of Na-flux GaN by Nanobeam X-ray Diffraction:Local Lattice Constant Variation Depending on the Growth Mode

△ [11p-Z12-7] Si固相エピタキシー時に導入されるgrown-in欠陥の形成過程

△ [11p-Z12-8] ANNポテンシャルを用いたSi結晶中の格子間Siクラスターの計算

△ [11p-Z12-9] ANNポテンシャルによるSi結晶中の安定な原子空孔クラスターの形態検証

△ [11p-Z12-10] CZ-Si結晶成長中の点欠陥挙動に与える窒素の影響 (3)

△ [11p-Z12-11] HドープCZ-Si結晶成長中の点欠陥挙動に関する第一原理解析(3)

△ [11p-Z12-12] Si結晶中の金属不純物の安定性に与える平面応力の影響

[11p-Z12-13] 「箱庭法」を用いた，pn接合部に対する金属元素のゲッタリング解析

△ [11p-Z12-14] 高圧水素プラズマによる極薄ゲッタリング層の形成

[11p-Z12-15] シリコン結晶基板の品質と点欠陥(4) 酸素析出の核形成と空孔の関係

[11p-Z12-16] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学（17）窒素の各種状態、STDと複ピーク

[11p-Z12-17] シリコン結晶中の低濃度炭素の測定(ⅩⅩI) 炭素濃度の低減と測定法の進歩:Carbon engineering

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△ [11p-Z12-5] GaN高電子移動度トランジスタの内部構造評価
パワーデバイス用結晶の評価（XXXIII）

▼ [11p-Z12-6] Structural Analysis of Na-flux GaN by Nanobeam X-ray Diffraction:
Local Lattice Constant Variation Depending on the Growth Mode