2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10p-Z10-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2020年9月10日(木) 12:30 〜 17:30 Z10

角嶋 邦之(東工大)、岡田 竜弥(琉球大)

15:15 〜 15:30

[10p-Z10-10] 【注目講演】電子線照射による「液体Si→固体Si」の非加熱変換

森 雅弘1、赤堀 誠志1、富取 正彦1、増田 貴史1 (1.北陸先端大)

キーワード:液体シリコン, 電子線

液体Siとは常温常圧で液体、360℃加熱で固体Siになる物質である。この物質は気体Si(シラン)および固体Si(ウェハ)とは異なるアプローチからSi半導体の科学技術を切り拓く潜在力を持つ。一方で高い加熱温度(360℃)を必要とすることが、その学術展開を制約してきた。本研究では、加熱プロセスを必要としない液体Si工学を創生するために、電子線照射による非加熱での「液体Si→ 固体Si」変換を実証する。