[10p-Z10-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10p-Z10-12] 中空構造SOI層を用いた高効率低温転写技術のロールtoロール製法への応用に向けた研究

〇(M2)河北 竜治¹、花房 宏明²、水川 友里²、東 清一郎² (1.広大院先端研、2.広大院先進理工)

キーワード：半導体, ロールtoロール

高い移動度等のメリットを持つ単結晶シリコン(c-Si)を耐熱性の低いフレキシブル基板上に実現できればフレキシブルエレクトロニクスの新たな可能性が見出せる。そこで我々は、成膜温度の高いc-Si薄膜を水のメニスカス力で低温転写するMLT技術を提案してきた。本研究では、効率良くフレキシブルデバイスを量産する手法として知られるロールtoロール製法へMLT技術を応用することを目指し、流れる基板によるMLTプロセスの構築を試みた。