[10p-Z10-1~17] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[10p-Z10-4] Investigation of Si crystal growth mechanism by in-situ heating TEM and ACOM-TEM

〇Nobuaki Tarumi¹, Shohei Hayashi¹, Naohiko Kawasaki¹, Yuji Otsuka¹ (1.Toray Research Center)

Keywords:in-situ heating TEM, amorphous Si, crystal growth

これまでに我々は、加熱in-situ TEMを用いて、SiO₂膜上a-Si膜の熱処理中の結晶成長過程を観察し、下地SiO₂膜との界面においてランダムに形成された核から結晶成長することを明らかにした。本発表では、a-Si膜の結晶成長メカニズムのさらなる追求のため、各結晶粒について成長速度の算出およびACOM-TEMによる結晶方位解析を実施した。その結果、結晶成長速度と結晶面方位に相関がある可能性が示唆された。