The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[10p-Z10-1~17] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

Thu. Sep 10, 2020 12:30 PM - 5:30 PM Z10

Kuniyuki Kakushima(Tokyo Tech), Tatsuya Okada(Univ. of the Ryukyus)

1:45 PM - 2:00 PM

[10p-Z10-5] Prevention of F diffusion using FLA after W deposition

Shogo Shigemasu1, Hideaki Tanimura1, Hikaru Kawarazaki1, Shinichi Kato1, Yoshihide Nozaki1 (1.SCREEN SPE)

Keywords:Flash Lamp Anneal, Tungsten

タングステン(W)はその抵抗率の低さ、ステップカバレッジの良好さからプラグ材料として利用されている。W膜成膜にはWF6が使用され、成膜後の低抵抗化のための熱処理にて拡散したF原子が、下層のTiと反応することに起因するVolcano現象を引き起こすことが報告されている。そこで本研究では、W成膜後の熱処理にフラッシュランプアニール(FLA)を利用することでF原子の拡散抑制効果を検証した。