[10p-Z10-1~17] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[10p-Z10-5] Prevention of F diffusion using FLA after W deposition

〇Shogo Shigemasu¹, Hideaki Tanimura¹, Hikaru Kawarazaki¹, Shinichi Kato¹, Yoshihide Nozaki¹ (1.SCREEN SPE)

Keywords:Flash Lamp Anneal, Tungsten

タングステン(W)はその抵抗率の低さ、ステップカバレッジの良好さからプラグ材料として利用されている。W膜成膜にはWF₆が使用され、成膜後の低抵抗化のための熱処理にて拡散したF原子が、下層のTiと反応することに起因するVolcano現象を引き起こすことが報告されている。そこで本研究では、W成膜後の熱処理にフラッシュランプアニール（FLA）を利用することでF原子の拡散抑制効果を検証した。