[10p-Z10-1~17] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

△ [10p-Z10-6] Fabrication of Si Microwires on Si(110) Surface by Anodization

〇(M1C)Rei Kuriki¹, He Wang¹, Tomohiro Mihira², Toshiaki Suzuki¹, Takayuki Yoshino¹, Masaaki Niwa¹, Mitsuya Motohashi¹ (1.Tokyo Denki Univ, 2.JEOL)

Keywords:silicon wire, dislocation, anodization

Si(110)基板は他の面指数の基板にはない結晶構造をもち、さらに、特異な電気的特性を有するために各種デバイスへの応用が期待されている。今回、表面に転位を形成した基板を陽極酸化する方法でSi(110)基板表面にマイクロSiワイヤを作製する方法を検討した。また、比較のために同じ方法でSi(100)及びSi(111)基板上にワイヤを作製した。その結果、Si(110)面上のワイヤは他の結晶面上のワイヤに比べて、その微細構造が異なることが分かった。