一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
13:15 〜 13:30
〇(B)浜屋 有志1、岡本 萌1、新海 聡子1 (1.九工大)
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13:30 〜 13:45
〇(B)澤田 尭廣1、大堀 大介1、菅原 健太3、岡田 政也3、井上 和孝3、佐藤 大輔4、栗原 秀行4、寒川 誠二1,2 (1.東北大流体研、2.東北大AIMR、3.住友電工、4.昭和電工)
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13:45 〜 14:00
〇吉屋 佑樹1、星 拓也1、杉山 弘樹1、松崎 秀昭1 (1.NTT先端集積デバイス研)
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14:00 〜 14:15
〇鐘ヶ江 一孝1、山田 真嗣2,3,4、堀田 昌宏1,3,4、木本 恒暢1、須田 淳1,3,4 (1.京大院工、2.アルバック半電研、3.名大未来材料・システム研究所、4.名大院工)
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14:15 〜 14:30
〇(D)渡久地 政周1、三輪 和希1、堀切 文正2、福原 昇2、成田 好伸2、市川 磨2、磯野 僚多2、田中 丈士2、佐藤 威友1 (1.北大量集センター、2.サイオクス)
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14:30 〜 14:45
〇堀切 文正1、福原 昇1、太田 博2、浅井 直美2、成田 好伸1、吉田 丈洋1、三島 友義2、渡久地 政周3、三輪 和希3、大神 洸貴3、佐藤 威友3 (1.サイオクス、2.法政大、3.北大)
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14:45 〜 15:00
〇(M1)三輪 和希1、大神 洸貴1、渡久地 政周1、堀切 文正2、福原 昇2、成田 好伸2、吉田 丈洋2、佐藤 威友1 (1.北大量集センター、2.サイオクス)
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15:00 〜 15:15
〇松田 陵1、堀切 文正2、成田 好伸2、吉田 丈洋2、三島 友義3、塩島 謙次1 (1.福井大院工、2.サイオクス、3.法政大)
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15:30 〜 15:45
小笠原 直1、吉本 昌広1、〇児玉 和樹2、上田 大助2 (1.京都工芸繊維大学、2.名古屋大学)
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15:45 〜 16:00
〇前田 拓也1、成田 哲生2、山田 真嗣3,4,5、加地 徹3、木本 恒暢1、堀田 昌宏1,3,5、須田 淳1,3,5 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大 未来材料・システム研究所、4.アルバック半電研、5.名大院工)
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16:00 〜 16:15
〇高橋 英匡1、安藤 裕二1、山口 椋平3、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
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16:15 〜 16:30
〇(M1)毛利 匡裕1、早坂 明泰1、眞壁 勇夫2、吉田 成輝2、後藤 高寛1、宮本 恭幸1 (1.東工大工、2.住友電気工業)
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16:30 〜 16:45
〇内田 昌宏1,2、川角 優斗2、西村 一巳1、塩島 謙次2 (1.NTT-AT、2.福井大院工)
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16:45 〜 17:00
〇高橋 言緒1、西村 辰彦2、中西 英俊2、川山 巌3,4、斗内 政吉3、清水 三聡1、高田 徳幸1 (1.産総研、2.SCREEN、3.阪大レーザー研、4.京大院エネ科)
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17:00 〜 17:15
〇安藤 裕二1、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
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17:15 〜 17:30
〇Qiang Ma1、Yuji Ando2、Akio Wakejima1 (1.NITech.、2.Nagoya Univ.)
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