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一般セッション(ポスター講演)

合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15a-PA5-1~25] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2020年3月15日(日) 09:30 〜 11:30 PA5 (第３体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

▼ [15a-PA5-1] Enhancing power of ZnO nanoparticle LEDs using silica coated silver Nano particles

〇(M1)RAJ DEEP¹、Atsuya Tabuchi¹、Yuki Konishi¹、Islam Mohammad Shafiqul¹、Jie Lin²、Toshiyuki Yoshida¹、Yasuhisa Fujita^1,2 (1.Shimane University、2.SNCC Co. Ltd)

09:30 〜 11:30

▲ [15a-PA5-2] p-ZnO/n-ZnO Nanoparticles based UV Light Emitting Diodes

〇(D)ISLAM MOHAMMAD SHAFIQUL¹、Atsuya Tabuchi¹、Yuki Konishi¹、Chihiro Sakurai¹、Jie Lin²、Toshiyuki Yoshida¹、Yasuhisa Fujita^1,2 (1.Shimane University、2.SNCC Co., Ltd)

09:30 〜 11:30

[15a-PA5-3] 修飾ゲート絶縁膜表面の濡れ性がアモルファスIn₂O₃TFTの電気的特性に及ぼす影響

〇(B)佐々木啓介¹、中村圭佑¹、相川慎也¹ (1.工学院大工)

09:30 〜 11:30

[15a-PA5-4] Al添加ZnO薄膜のPLD成長における成長分圧依存および熱処理効果

〇(M1)熊谷敏宏¹、大浦紀頼¹、和田英男¹、小山政俊¹、前元利彦¹、佐々誠彦¹ (1.大阪工大ナノ材研)

09:30 〜 11:30

[15a-PA5-5] ICP CVDによるSiO:F膜を用いた低温トップゲートIGZO TFT

〇酒井敏彦¹、松尾大輔¹、藤原将喜¹、池田拓弥¹、岸田茂明¹、瀬戸口佳孝¹、安東靖典¹、宮永良子²、藤井茉美²、浦岡行治² (1.日新電機、2.奈良先端大)

09:30 〜 11:30

[15a-PA5-6] Ga:ZnO膜へのZn供給による高キャリア密度化と高移動度化

〇山下雅貴¹、杉浦怜¹、山田祐美加²、舩木修平^1,2、山田容士^1,2 (1.島根大総理工、2.島根大自然)

09:30 〜 11:30

[15a-PA5-7] ゾル-ゲル成膜ZnO薄膜の低抵抗化のための成膜後プロセス

〇安部功二¹、森本康弘¹ (1.名工大)

09:30 〜 11:30

[15a-PA5-8] CaF₂をコスパッタした酸化インジウム透明導電膜の作製と評価

〇(B)大榮海斗¹、相川慎也¹ (1.工学院大)

09:30 〜 11:30

[15a-PA5-9] プラズマ支援分子線堆積法によるフレキシブル基板上へのGZO透明導電膜の形成と評価 (4)

〇村中司¹、山崎知夢¹、佐藤陽平¹、中田耕輔¹、鍋谷暢一¹、松本俊¹ (1.山梨大工)

09:30 〜 11:30

△ [15a-PA5-10] ミストCVD法による準安定相rh-ITO薄膜のエピタキシャル成長と評価

〇(M1)島添和樹¹、西中浩之¹、田原大祐¹、新田悠汰¹、吉本昌広¹ (1.京工繊大)

09:30 〜 11:30

[15a-PA5-11] 電気化学堆積したZnOナノロッドのPLに与えるアニール効果

〇(B)後藤祐己¹、鈴木聡¹ (1.木更津高専)

09:30 〜 11:30

[15a-PA5-12] 非晶質酸硫化亜鉛(ZnO₁₋_xS_x)薄膜における電気伝導機構の解析

〇土井雅人¹、陳臻¹、廣瀬靖¹、長谷川哲也¹ (1.東大院理)

09:30 〜 11:30

[15a-PA5-13] α-Ga₂O₃の電気特性異方性の評価

〇守屋亮¹、青山昇平¹、城川潤二郎¹、四戸孝²、高橋勲²、荒木努¹ (1.立命館大理工、2.FLOSFIA)

09:30 〜 11:30

[15a-PA5-14] TEM観察を用いたSnドープm面α-Ga₂O₃の結晶欠陥評価

〇早川紘生¹、城川潤二郎¹、四戸孝²、高橋勲²、荒木努¹ (1.立命館大理工、2.FLOSFIA)

09:30 〜 11:30

[15a-PA5-15] β-Ga₂O₃ とAl₂O₃混合粉末の振動メカニカルアロイング

〇岸村浩明¹ (1.防衛大学校材料)

09:30 〜 11:30

[15a-PA5-16] 岩塩型Mg_xZn_1-xOのバンドアライメント

〇太田優一¹ (1.都産技研)

09:30 〜 11:30

△ [15a-PA5-17] 酸化ガリウム多形における自己束縛正孔の第一原理計算による検討

〇(M2)我毛智哉¹、熊谷悠¹、大場史康¹ (1.東工大フロンティア研)

09:30 〜 11:30

[15a-PA5-18] ミストCVD法で成膜したエピタキシャルNiO薄膜の結晶及び物性評価

〇五十嵐聡人¹、星野千菜美¹、木下健太郎¹ (1.東理大理)

09:30 〜 11:30

[15a-PA5-19] ミストCVD法によるβ-Ga₂O₃(-201)基板上へのε-Ga₂O₃薄膜のエピタキシャル成長

〇梶田優気¹、西中浩之¹、田原大祐¹、新田悠汰¹、吉本昌広¹ (1.京工繊大)

09:30 〜 11:30

[15a-PA5-20] EFG 法と HVPE 法を用いた４インチ β-Ga₂O₃結晶のバルク育成とホモエピタキシャル成長

〇林家弘¹、ティユクァントゥ¹、リンガパルティラヴィキラン¹、タンガラジャアムタ¹、内田悠貴¹、大塚文雄¹、輿公祥¹、渡辺信也¹、佐々木公平¹、倉又朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

09:30 〜 11:30

[15a-PA5-21] 大面積成膜に対応した酸化物半導体用誘導結合プラズマスパッタ装置

〇岸田茂明¹、松尾大輔¹、池田拓弥¹、瀬戸口佳孝¹、安東靖典¹ (1.日新電機)

09:30 〜 11:30

[15a-PA5-22] 欠陥物性評価に向けたRFリアクティブマグネトロンスパッタ法を用いたNiOのエピタキシャル成長

〇西本啓介¹、金冑男^1,2、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

09:30 〜 11:30

[15a-PA5-23] 触媒反応支援CVD法で作製したZnO膜へ窒素ドープとアニール処理

斎藤太朗¹、伊庭竜太¹、神林広樹¹、加藤有行¹、〇安井寛治¹ (1.長岡技科大)

09:30 〜 11:30

[15a-PA5-24] ミストCVD法を用いたフレキシブルなワイドギャップ酸化物半導体のエピタキシャル成長

〇新田悠汰¹、西中浩之¹、島添和樹¹、田原大祐¹、吉本昌広¹ (1.京工繊大)

09:30 〜 11:30

[15a-PA5-25] 敵対的生成ネットワークによるZnO系ナノ・マイクロ結晶の電子顕微鏡像様の画像生成

〇光野徹也¹、大橋紘誠¹、藤原健八¹、山本幹大¹ (1.静岡大工)

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