[13p-D419-1~16] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[13p-D419-3] Growth of α-Ga₂O₃ thin films by mist chemical vapor deposition using acetylacetonated Ga source solutions

〇Kazuyuki Uno¹, Marika Ohta¹, Ichiro Tanaka¹ (1.Wakayama Univ.)

Keywords:gallium oxide, mist chemical vapor deposition

水和したガリウム水溶液をアセチルアセトナート錯体化した水溶液を作製し，これを原料水溶液としたミストCVD法でC面サファイア基板上に薄膜結晶成長を行った。系統的な実験を行ったところ，水溶液の錯体化が成長速度やエピタキシャル成長に大きな役割を演じていること，炭素不純物についての評価，成長膜中の酸素原子が水を起源とすることなどを実験的に明らかとなった。