一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
13:30 〜 13:45
〇中沼 貴澄1、岩片 悠1、小林 拓真1、染谷 満2、岡本 光央2、吉越 章隆3、細井 卓治1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.産総研、3.原子力機構)
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13:45 〜 14:00
〇中沼 貴澄1、岩片 悠1、小林 拓真1、染谷 満2、岡本 光央2、細井 卓治1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.産総研)
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14:00 〜 14:15
〇秋山 亨1、清水 紀志1、伊藤 智徳1、影島 博之2、白石 賢二3 (1.三重大院工、2.島根大自然科学、3.名大未来研)
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14:15 〜 14:30
〇永溝 幸周1、田中 一1、森 伸也1 (1.阪大院工)
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14:30 〜 14:45
〇(M1)横田 知真1、植本 光治1、小野 倫也1 (1.神戸大工)
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15:00 〜 15:15
〇(PC)Kidist Moges Ayele1、Takuma Kobayashi1、Takuji Hosoi1、Takayoshi Shimura1、Keita Tachiki2、Tsunenobu Kimoto2、Heiji Watanabe1 (1.Graduate School of Eng., Osaka Univ.、2.Graduate School of Eng., Kyoto Univ.)
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15:15 〜 15:30
〇黒木 伸一郎1、西垣内 健汰1、目黒 達也1、武山 昭憲2、大島 武2、田中 保宣3 (1.広島大ナノデバイス、2.量研、3.産総研)
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15:30 〜 15:45
〇目黒 達也1、堤 将之1、武山 昭憲2、大島 武2、田中 保宣3、黒木 伸一郎1 (1.広島大ナノデバイス、2.量研、3.産総研)
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15:45 〜 16:00
〇Cuong Van Vuong1、Tetsuya Meguro1、Tadashi Sato1、Shin-Ichiro Kuroki1 (1.RNBS, Hiroshima Uni.)
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16:00 〜 16:15
〇前田 憲幸1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
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