[11a-N205-1~11] CS.9 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[11a-N205-2] 強誘電性ノンドープHfO₂薄膜形成におけるSiO₂界面層形成の抑制に関する検討

〇田沼 将一¹、Joong-Won Shin¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大院工)

キーワード：強誘電性ノンドープHfO2、強誘電体ゲートトランジスタ、RFマグネトロンスパッタ法

強誘電体HfO₂薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(MFSFET)への応用が期待されている。前回、我々はHf界面層を導入した膜厚10 nmの強誘電性ノンドープHfO₂を用いたMFSFETに関して報告した。今回、低誘電率のSiO₂界面層形成の抑制を目的として、HfO₂のスパッタ条件に関する検討を行ったので報告する。