2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 未来デバイス製造のためのアトミックレイヤープロセス;表面反応ダイナミクスの理解と制御

[11a-S301-1~7] 未来デバイス製造のためのアトミックレイヤープロセス;表面反応ダイナミクスの理解と制御

2021年9月11日(土) 09:00 〜 11:40 S301 (口頭)

百瀬 健(東大)、近藤 博基(名大)

10:25 〜 10:55

[11a-S301-5] 原子層エッチングの反応素過程とその設計、制御

石川 健治1、Nguyen Thi-Thuy-Nga1、堤 隆嘉1、蕭 世男1、近藤 博基1、関根 誠1、堀 勝1 (1.名古屋大学)

キーワード:原子層エッチング

プラズマエッチングによる材料微細加工では,加工される形態(物理・機械)のみならず,物性(化学・材料)の制御が重要となっている.究極的には原子レベルの加工精度でもって加工プロセスを行う,一原子一分子レベルの反応プロセス制御,アトミックスケールエンジニアリングの実現が鍵となっている.プラズマエッチングの原子層で生じる反応について原理的な解明を進めるために,反応系を階層化して,1)プラズマ中のガスの解離,2)活性種の(微細孔内)輸送,3)表面反応に分け,階層ごとの理論構築と計算を行い,そのためには,信頼できる実験結果に基づいたデータベースの構築を進め,プラズマと表面の相互作用について科学的にアプローチする,理論-計算-実験と統合したアトミックエンジニアリングの学問体系化に向けた取組が切に望まれる.