2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[12p-N323-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2021年9月12日(日) 13:00 〜 16:15 N323 (口頭)

羽深 等(横国大)、後藤 哲也(東北大)

15:00 〜 15:15

[12p-N323-8] ミニマルデバイステスタ装置の開発

居村 史人1、村嶋 義秀2、松田 誠宙2、土屋 忠明2、善養寺 薫3、大江 隆3、小坂 光二3、新堀 俊一郎4、早川 透1、クンプアン ソマワン1,5、原 史朗1,5 (1.産総研、2.ロジックリサーチ、3.TCK、4.三友製作所、5.ミニマルファブ)

キーワード:ミニマルファブ、電気計測

ウェハステージ、プローブ針駆動用マニピュレータ、微小電流測定器、カメラなどをミニマル装置内に搭載し、ハーフインチウェハ対応デバイス電気計測システムのミニマル装置を開発した。電極パッド表面の酸化抑制のために窒素雰囲気下で、CADで指定した電極パッドに自動プロービングし電気計測できる。今回、ウェハ全面に形成したpMOSFETのIV測定を行い、プロービング安定性、測定時間などを評価したので報告する。