[13p-N101-1~18] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [13p-N101-13] Reduction of pit density and surface roughness in MOVPE growth on OVPE-GaN substrates

〇Shigeyoshi Usami¹, Masayuki Imanishi¹, Junichi Takino², Tomoaki Sumi², Yoshio Okayama², Mihoko Maruyama¹, Masashi Yoshimura³, Masahiko Hata⁴, Masashi Isemura⁵, Yusuke Mori¹ (1.Osaka Univ., 2.Panasonic Corp., 3.ILE, Osaka Univ., 4.Itochu Plastics Inc., 5.Sosho-Ohshin Inc.)

Keywords:OVPE, pn diodes

OVPE基板は超低抵抗であることからGaN縦型パワーデバイスの高性能化に貢献するが、その基板上にMOVPE法でデバイス層を堆積すると；①基板界面から多量のピットが開き大面積デバイスの歩留まりが極端に低下する。②ステップバンチングが顕著に発生して表面平坦性が劣化する。という２つの課題があった。そこで、本論ではOVPE基板の性質に着目して、MOVPE法の成長条件および基板加工条件の最適化を行った。その結果、成長温度の上昇と成長前基板平坦性の改善によりOVPE基板上エピの問題を解決することに成功した。