[13p-N101-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [13p-N101-13] OVPE-GaN基板上MOVPE成長におけるピット低減と表面平坦性改善

〇宇佐美 茂佳¹、今西 正幸¹、滝野 淳一²、隅 智亮²、岡山 芳央²、丸山 美帆子¹、吉村 政志³、秦 雅彦⁴、伊勢村 雅士⁵、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.パナソニック(株)、3.阪大レーザー研、4.伊藤忠プラスチックス(株)、5.(株)創晶應心)

キーワード：OVPE法、pnダイオード

OVPE基板は超低抵抗であることからGaN縦型パワーデバイスの高性能化に貢献するが、その基板上にMOVPE法でデバイス層を堆積すると；①基板界面から多量のピットが開き大面積デバイスの歩留まりが極端に低下する。②ステップバンチングが顕著に発生して表面平坦性が劣化する。という２つの課題があった。そこで、本論ではOVPE基板の性質に着目して、MOVPE法の成長条件および基板加工条件の最適化を行った。その結果、成長温度の上昇と成長前基板平坦性の改善によりOVPE基板上エピの問題を解決することに成功した。