[17a-Z03-1~10] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[17a-Z03-4] Si-site Selective Removal from SiGe using Hydrogen Plasma via Ab-initio Calculations

〇RYOKO SUGANO¹, YOHEI ISHII², MAKOTO MIURA³, KENICHI KUWAHARA³ (1.Hitachi R&D Group, 2.Hitachi HTA, 3.Hitachi HT)

Keywords:SiGe surface, Si-site selective removal, Si surface segregation

SiGe表面からのSiサイト選択的脱離はSi/SiGe選択エッチングの原因と考えられている。水素ラジカルを用いたSiGe表面からのSiサイト選択的脱離過程を第一原理計算により解析した。その結果，Siサイトの選択的脱離の要因はSiサイトの方がGeサイトより水素吸着によるエッチング前駆体が形成され易く，かつ，脱離し易いためであることが分かった。