[17a-Z03-1~10] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[17a-Z03-4] SiGe表面 で の 水素を用いた Si サイト選択 的脱離 の第一原理計算解析

〇菅野 量子¹、石井 洋平²、三浦 真³、桑原 謙一³ (1.日立研開、2.日立ハイテクアメリカ、3.日立ハイテク)

キーワード：SiGe表面、Siサイト選択的脱離、Si表面偏析

SiGe表面からのSiサイト選択的脱離はSi/SiGe選択エッチングの原因と考えられている。水素ラジカルを用いたSiGe表面からのSiサイト選択的脱離過程を第一原理計算により解析した。その結果，Siサイトの選択的脱離の要因はSiサイトの方がGeサイトより水素吸着によるエッチング前駆体が形成され易く，かつ，脱離し易いためであることが分かった。