The 68th JSAP Spring Meeting 2021

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[19a-Z24-1~10] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

Fri. Mar 19, 2021 9:00 AM - 11:45 AM Z24 (Z24)

Hitoshi Habuka(Yokohama Natl. Univ.), Yan Wu(Nihon Univ.)

9:45 AM - 10:00 AM

[19a-Z24-4] A Study of dry etching process of Silicon oxide film using Minimal Fab

Hiroyuki Tanaka1, Yoshiyuki Nozawa2,3, Toshihiro Hayami2,3, Sommawan Khumpuang1,2, Shiro Hara1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.SPPT)

Keywords:MINIMAL, Dry Etching, Oxide Process

プラズマダメージが問題となる半導体デバイス向けSi酸化膜のエッチングに関しては、これまで本格的に着手してこなかった。しかしながら、デバイスの縮小化を進めた場合、ドライエッチングプロセスが必須となった。そこで、シリコンやメタルエッチングに用いてきた既存のミニマルドライエッチャーが、酸化膜向けのフロン系ガスを用いたときの実験を行い、酸化膜エッチングに適用できる見通しを得たので報告する。