[19a-Z24-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19a-Z24-4] ミニマルファブを用いたSi酸化膜ドライエッチングプロセスの研究

〇田中 宏幸¹、野沢 善幸^2,3、速水 利泰^2,3、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ、3.SPPテクノロジーズ)

キーワード：ミニマル、ドライエッチング、酸化膜

プラズマダメージが問題となる半導体デバイス向けSi酸化膜のエッチングに関しては、これまで本格的に着手してこなかった。しかしながら、デバイスの縮小化を進めた場合、ドライエッチングプロセスが必須となった。そこで、シリコンやメタルエッチングに用いてきた既存のミニマルドライエッチャーが、酸化膜向けのフロン系ガスを用いたときの実験を行い、酸化膜エッチングに適用できる見通しを得たので報告する。