[19p-Z24-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19p-Z24-2] ミニマルファブにおけるTiNゲートSOI-CMOSプロセスシュリンクの検討

〇古賀 和博¹、柳 永勛²、居村 史人^1,2、加瀬 雅²、野田 周一²、根本 一正²、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.ミニマルファブ、2.産総研)

キーワード：シュリンク、完全空乏型SOI-CMOS

今後のミニマルファブの基幹となるCMOSデバイス（完全空乏型SOI-CMOS）のシュリンクに向けたプロセスについて述べる。SOI基板活性層Si層の薄膜化、ミドルギャップのTiNゲート材適用、浅い熱拡散層、ゲート長4～0.5μm等の主なプロセスを適用検討中であり、その全体像について述べる。