2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19p-Z24-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2021年3月19日(金) 13:30 〜 16:15 Z24 (Z24)

角嶋 邦之(東工大)、曽根 正人(東工大)

14:15 〜 14:30

[19p-Z24-4] レーザビアへのコンフォーマルCu電解めっき成膜

居村 史人1、吉永 孝文2、釜崎 佳代2、菊野 敏博2、井上 道弘1、クンプアン ソマワン1,3、原 史朗1,3 (1.産総研、2.熊本防錆工業、3.ミニマルファブ)

キーワード:ミニマルファブ、パッケージング、電解めっき

IoTなどに広く要求される少量多品種の電子デバイス製造を実現するミニマルファブのIoTデバイス製造プラットフォームの構築が進められている。これまで、複数チップをハーフインチサイズの基板上に搭載したパッケージを作製し、レーザビアとRDLによるチップ間電気的接続について評価してきた。今回、レーザビアへのCuめっきを行い、ビア断面SEM観察により、ビアへのCuめっき成膜について評価したので報告する。