一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
2022年9月20日(火) 09:00 〜 11:30 A406 (A406)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
09:00 〜 09:15
〇斎藤 陽斗1、牧原 克典1、田岡 紀之1、大田 晃生1、宮﨑 誠一1 (1.名大院工)
スケジュール
いいね！
)
09:15 〜 09:30
〇Leonid Bolotov1、Hidetoshi Mimura2、Yunosuke Sakai2、Tetsuo Yamamoto2、Takafumi Sasaki2、Noriyuki Uchida1 (1.AIST-DTech、2.Kokusai Elec. Co.)
スケジュール
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09:30 〜 09:45
〇三村 英俊1、Leonid Bolotov2、坂井 佑之輔1、山本 哲夫1、佐々木 隆史1、内田 紀行2 (1.(株)KOKUSAI ELECTRIC、2.産総研デバイス技術研)
スケジュール
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)
09:45 〜 10:00
〇早川 紘生1、星野 健1、森 勇介1、越智 孝光1、永井 圭希1、藤原 実1 (1.キオクシア)
スケジュール
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10:00 〜 10:15
〇(M2)高山 智之1、佐々木 伸夫1,2、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.Sasaki Consulting)
スケジュール
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10:30 〜 10:45
〇葉 文昌1、大矢 雅人1、曲 勇作1 (1.島根大)
スケジュール
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10:45 〜 11:00
〇佐川 達哉1、楠 浩太朗1、原 明人1 (1.東北学院大工)
スケジュール
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11:00 〜 11:15
〇永吉 輝央1、野村 海成1、原 明人1 (1.東北学院大工)
スケジュール
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11:15 〜 11:30
〇(M2)那須 新悟1、王 冬1、山本 圭介1 (1.九大院 総理工)
スケジュール
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