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一般セッション(口頭講演)

CS コードシェアセッション » 【CS.7】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

[22p-A307-1~17] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

2022年9月22日(木) 13:30 〜 18:00 A307 (A307)

徳光永輔(北陸先端大)、平永良臣(東北大)、清水荘雄(物材機構)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 13:45

▼ [22p-A307-1] A Vertical Channel Ferroelectric/Anti-Ferroelectric FET with ALD InOx

〇Zhuo Li¹、Jixuan Wu¹、Xiaoran Mei¹、Xingyu Huang¹、Takuya Saraya¹、Toshiro Hiramoto¹、Takanori Takahashi²、Mutsunori Uenuma²、Yukiharu Uraoka²、Masaharu Kobayashi^1,3 (1.IIS., Univ. of Tokyo、2.NAIST、3.d.lab, Univ. of Tokyo)

13:45 〜 14:00

[22p-A307-2] Field-Induced Polar-Axis Alignment for 3D High-Density Memory

〇李卓¹、武继璇¹、梅潇然¹、黄星宇¹、更屋拓哉¹、平本俊朗¹、髙橋崇典²、上沼睦典²、浦岡行治²、小林正治^1,3 (1.東大生産研、2.奈良先端、3.東大システムデザインセンター)

14:00 〜 14:15

[22p-A307-3] 異なる酸化剤を用いた原子層堆積法により作製した強誘電体Hf_xZr_1−xO₂/TiNの構造評価

〇(P)女屋崇^1,2,3、生田目俊秀²、長田貴弘²、上田茂典²、Jung Yong Chan⁴、Hernandez-Arriaga Heber⁴、Mohan Jaidah⁴、Kim Jiyoung⁴、Nam Chang-Yong⁵、Tsai Esther H. R.⁵、喜多浩之⁶、右田真司¹、太田裕之¹、森田行則¹ (1.産総研、2.物材機構、3.学振PD、4.UT Dallas、5.Brookhaven Nat. Lab.、6.東大)

14:15 〜 14:30

[22p-A307-4] HfO₂-ZrO₂ Laminate構造が強誘電相生成をアシストするメカニズム

〇右田真司¹、森田行則¹、浅沼周太郎¹、太田裕之¹、齊藤雄太¹ (1.産総研)

14:30 〜 14:45

[22p-A307-5] 強誘電体キャパシタを用いた“負性容量”に関する考察

〇鳥海明¹、右田真司² (1.自由業、2.産総研)

14:45 〜 15:00

[22p-A307-6] “負性容量”を利用したFETのSファクタ改善に関する考察

〇鳥海明¹、右田真司² (1.自由業、2.産総研)

15:00 〜 15:15

[22p-A307-7] スパッタリング時の圧力によるAlScN膜への影響

〇(B)時田幸村¹、Tsai Sung-Lin¹、星井拓也¹、若林整¹、筒井一生²、角嶋邦之¹ (1.東工大工、2.東工大科技創研)

15:30 〜 15:45

[22p-A307-8] 強誘電性ノンドープHfO₂薄膜形成における界面層厚の低減とMFSFETの動作特性に関する検討

〇田沼将一¹、Joong-Won Shin¹、大見俊一郎¹ (1.東工大院工)

15:45 〜 16:00

[22p-A307-9] 強誘電性 HfN_x薄膜の形成と MFSFET の動作特性に関する検討

〇井出明徳¹、田沼将一¹、井原爽生¹、大見俊一郎¹ (1.東工大院工)

16:00 〜 16:15

▼ [22p-A307-10] Investigation of the etching process for Pt gate electrode on the ferroelectric property of 5 nm thick nondoped HfO₂ thin films

〇(DC)JoongWon Shin¹、Masakazu Tanuma¹、Shun-ichiro Ohmi¹ (1.Tokyo Inst. of Technol.)

16:15 〜 16:30

▼ [22p-A307-11] Demonstration of Ferroelectricity of 10 nm YHO7 Thin Film through Piezoelectric Force Microscopy

〇(D)ZHONGZHENG SUN¹、Shurong Miao¹、Hiroshi Funakubo¹、Yutaka Majima¹ (1.Tokyo Tech)

16:30 〜 16:45

△ [22p-A307-12] HfO₂-CeO₂膜の強誘電性の膜厚依存性

〇平井浩司¹、白石貴久^1,2、山岡和希子³、鶴丸理沙子³、井上ゆか梨³、舟窪浩¹ (1.東工大、2.熊本大、3.TDK株式会社)

16:45 〜 17:00

[22p-A307-13] アモルファス Hf_1-xZr_xO₂/Si(001)の熱処理に伴う結晶化と結晶構造

〇高瀬慶人¹、藤尾亮汰¹、石丸学¹、右田真司²、内田紀行² (1.九工大、2.産総研)

17:00 〜 17:15

[22p-A307-14] 正圧電応答顕微鏡法によるHfO₂薄膜の分極ドメイン構造の観察 Ⅱ

〇萩原拓永¹、トープラサートポンカシディット²、高木信一²、藤村紀文¹、吉村武¹ (1.阪公大院工、2.東大院工)

17:15 〜 17:30

[22p-A307-15] HfO₂系強誘電体キャパシタにおける絶縁破壊過程の非破壊観察: オペランドレーザー励起光電子顕微鏡

〇藤原弘和¹、糸矢祐喜²、小林正治³、Bareille Cédric^4,5、辛埴^5,6、谷内敏之^4,5 (1.東大物性研、2.東大生産研、3.東大d.lab、4.東大新領域、5.東大MIRC、6.東大特別教授室)

17:30 〜 17:45

[22p-A307-16] ITO上部電極の堆積が(Hf,Zr)O₂薄膜の結晶化へ及ぼす影響

〇(M2)尾内惇平¹、藤沢浩訓¹、中嶋誠二¹ (1.兵庫県立大工)

17:45 〜 18:00

[22p-A307-17] アニール時電界印加がHf_0.5Zr_0.5O₂強誘電体薄膜に与える影響

〇(M1)田中将¹、野田実¹ (1.京工繊大)

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