[20p-A406-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[20p-A406-11] ミニマルファブによるシリコン貫通電極のプロセス開発(II)

〇居村 史人¹、田中 宏幸¹、大澤 孝治²、髙野 拓郎²、鐘堂 健三²、寺澤 靖雄²、クンプアン ソマワン^1,3、原 史朗^1,3 (1.産総研、2.ニデック、3.ミニマルファブ)

キーワード：ミニマルファブ、3次元集積、シリコン貫通電極

近年、シリコン貫通電極(TSV)を用いた3次元積層チップの研究開発が広く進められている。これまで、ミニマルSi深掘り(DRIE)装置によるスキャロップフリーボッシュプロセス技術を用いて、Si深掘りからCu埋め込みめっきまでのTSV形成プロセスについて報告してきた。今回は、このスキャロップフリーとスキャロップを意図的に形成したTSVについて、それぞれのTSVの絶縁性能を比較評価したので報告する。