[20p-A406-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[20p-A406-8] トリシランを用いたミニマルファブ向けポリシリコンゲート電極のCVD成膜に関する検討

〇後藤 哲也¹、小林 誠二²、クオン タイクオック²、薮田 勇気³、須川 成利¹、原 史朗^4,5 (1.東北大未来研、2.コーテック、3.誠南工業、4.産総研、5.ミニマル)

キーワード：ポリシリコン、ミニマル、トリシラン

ミニマルファブシステムに対応するポリシリコンCVDプロセスの開発を行っている。ミニマル筐体内にガスソース源を搭載できる液体材料ガス：トリシランを材料ガスとして用い、減圧熱CVDによる成膜評価を行った。その結果、710℃の成膜温度で、結晶化率100％のポリシリコン膜が形成できることを確認した。またこのポリシリコン膜をゲート電極とした良好な耐圧を有するMOSキャパシタも製作できた。