[22p-A406-1~15] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [22p-A406-3] 【注目講演】高スループットSiN ALEを実現する表面反応メカニズムの解明

〇平田 瑛子¹、深沢 正永¹、J. U. Tercero²、釘宮 克尚¹、萩本 賢哉¹、唐橋 一浩²、浜口 智志²、岩元 勇人¹ (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ(株)、2.阪大院工)

キーワード：原子層エッチング、高スループット、表面反応

近年、超高精度加工の目的でALE (Atomic Layer Etching) が検討されている。しかし、反応層を除去するために長時間処理が必要であり、プロセス時間が課題である。先行研究では、Si ALEにおいて高イオンエネルギーを用いても自己停止反応が得られる事が報告されている。今回は、短時間化を目的に、高イオンエネルギーで短時間の高スループットなSiN ALE構築を目的に、その表面反応メカニズムを報告する。