2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

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[22p-A406-1~15] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2022年9月22日(木) 13:00 〜 17:00 A406 (A406)

針谷 達(豊橋技科大)、堤 隆嘉(名大)

13:30 〜 13:45

[22p-A406-3] 【注目講演】高スループットSiN ALEを実現する表面反応メカニズムの解明

平田 瑛子1、深沢 正永1、J. U. Tercero2、釘宮 克尚1、萩本 賢哉1、唐橋 一浩2、浜口 智志2、岩元 勇人1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ(株)、2.阪大院工)

キーワード:原子層エッチング、高スループット、表面反応

近年、超高精度加工の目的でALE (Atomic Layer Etching) が検討されている。しかし、反応層を除去するために長時間処理が必要であり、プロセス時間が課題である。先行研究では、Si ALEにおいて高イオンエネルギーを用いても自己停止反応が得られる事が報告されている。今回は、短時間化を目的に、高イオンエネルギーで短時間の高スループットなSiN ALE構築を目的に、その表面反応メカニズムを報告する。