[23p-C102-1~14] 13.3 絶縁膜技術

[23p-C102-8] 高純度オゾンを用いたALDによるAl₂O₃膜の膜応力

〇萩原 崇之¹、元田 総一郎¹、亀田 直人¹、中村 健²、野中 秀彦² (1.明電NPI、2.産総研)

キーワード：ALD、高純度オゾン、応力

半導体デバイスの高集積化に伴う金属酸化物薄膜の精密な膜厚制御と高アスペクトに対する均一な膜厚の成膜要求に対し原子層堆積（Atomic Layer Deposition：ALD）法が注目されている。我々は〜100%濃度O₃ (Pure Ozone：PO)をALDに適用し、プリカーサにトリメチルアルミニウム(TMA)を用いたAl₂O₃膜をSiウエハ上に成膜し膜応力を評価した。PO-ALDにて成膜したAl₂O₃膜は引張応力が生じており、他の酸化種よりも低応力であることからAl₂O₃膜応力には酸化力が影響していると示唆される。