一般セッション(口頭講演)

[22a-D316-1~7] 13.8 光物性・発光デバイス

2022年3月22日(火) 09:30 〜 11:15 D316 (D316)

上田純平(京大)、中西貴之(物材機構)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 09:45

[22a-D316-1] ドーピングした鉄シリサイド膜のフォトルミネッセンス発光特性

〇秋山賢輔^1,2、舟窪浩² (1.神奈川産技総研、2.東工大院・物質理工)

09:45 〜 10:00

[22a-D316-2] Sr_0.998Pr_0.002Ti_0.9Al_0.1O_3-_d 薄膜のエレクトロルミネッセンスにおけるキャリア閉じ込め効果

〇京免徹¹、大草健太郎¹、横塚恵莉¹、高島浩² (1.群馬大理工、2.産総研)

10:00 〜 10:15

[22a-D316-3] ZnS:Cuナノ蛍光体を用いた分散型無機EL素子の研究 - Cu_xSナノ粒子添加による発光特性の改善-

〇松隈伶¹、坂東秀真¹、四方義信¹、大観光徳¹ (1.鳥取大工)

10:15 〜 10:30

[22a-D316-4] トップエミッション分散型ELにおける基材の表面粗さとEL 特性の関係評価

〇渡部陸矢¹、髙橋宏輔²、上谷幸治郎²、常安翔太³、佐藤利文¹ (1.東京工芸大院工、2.阪大院工、3.大分高専)

10:30 〜 10:45

[22a-D316-5] 【注目講演】WASSR法によるハライド蛍光体の合成

〇戸田健司¹ (1.新潟大学)

10:45 〜 11:00

[22a-D316-6] CaS:Eu²⁺,Tm³⁺の欠陥による発光の特徴と赤色残光

〇須田順子^1,2、田村祐樹²、山口翔太²、七井靖³、奥野剛史² (1.東京工科大、2.電気通信大、3.防衛大学校)

11:00 〜 11:15

[22a-D316-7] La₂ZnTiO₆: Nd³⁺, Yb³⁺, Ho³⁺の近赤外光励起時のアップコンバージョン特性

〇安岡真理¹、佐俣博章¹ (1.神戸大海事)

一般セッション(口頭講演)

[22p-D316-1~16] 13.8 光物性・発光デバイス

2022年3月22日(火) 13:00 〜 17:15 D316 (D316)

七井靖(防衛大)、舘林潤(阪大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:00 〜 13:15

[22p-D316-1] 結晶サイト工学の概念を用いたシリケート系蛍光体の物質探索

〇佐藤泰史¹、冨田恒之²、垣花眞人^3,4 (1.岡山理大理、2.東海大理、3.大阪大産研、4.東北大多元研)

13:15 〜 13:30

[22p-D316-2] Eu²⁺賦活蛍光体の発光ピークの機械学習

〇小山幸典¹、武田隆史¹、広崎尚登¹ (1.物材機構)

13:30 〜 13:45

△ [22p-D316-3] 狭帯域蛍光体開発のための局所構造の類似度を用いた探索手法

〇竹村翔太¹、小山幸典¹、中西貴之¹、舟橋司朗¹、広崎尚登¹、池野豪一²、武田隆史¹ (1.物材機構、2.大阪府大工)

13:45 〜 14:00

▲ [22p-D316-4] Revisiting the Eu2+ emission in CaAlSiN3 (CASN) red phosphor by time-resolved spectroscopy

〇Jian Xu¹、Kohsei Takahashi¹、Takayuki Nakanishi¹、Naoto Hirosaki¹、Takashi Takeda¹ (1.NIMS)

14:00 〜 14:15

[22p-D316-5] YSiO₂NにおけるEu²⁺束縛励起子状態による深赤色–近赤外発光

〇北川裕貴¹、上田純平¹、許健²、中西貴之²、武田隆史²、廣崎尚登²、田部勢津久¹ (1.京大院人環、2.物材機構)

14:15 〜 14:30

△ [22p-D316-6] KSrPO₄:Euにおける電荷補償欠陥を介した永続的光還元のモデル

〇蔦将哉^1,2、中村奨²、加藤有行¹ (1.長岡技科大工、2.長岡高専)

14:30 〜 14:45

△ [22p-D316-7] Eu³⁺添加Sr₂CaWO₆蛍光体におけるEu³⁺サイト分布と発光特性への影響

〇(DC)大塚喬仁¹、早川知克^1,2 (1.名工大、2.FRIMS)

15:00 〜 15:15

[22p-D316-8] [第51回講演奨励賞受賞記念講演] Tb添加Al_xGa_1-xNを活性層に用いた超波長安定発光ダイオードの作製

〇駒井亮太¹、市川修平^1,2、半澤弘昌³、舘林潤¹、藤原康文¹ (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.阪大院基礎工)

15:15 〜 15:30

▼ [22p-D316-9] Investigation of an additional point-like short-wavelength emission in InGaN red light-emitting diodes

〇(DC)Pavel Sergeyevich Kirilenko¹、Zhe Zhuang¹、Daisuke Iida¹、Martin Velazquez-Rizo¹、Kazuhiro Ohkawa¹ (1.King Abdullah Univ. of Science and Technology)

15:30 〜 15:45

▼ [22p-D316-10] Photoluminescence enhancement of InAs surface quantum dots by Al₂O₃ passivation

〇(DC)Hanif Mohammadi¹、Ronel Roca¹、Yuwei Zhang¹、Hyunju Lee¹、Naotaka Iwata¹、Yoshio Ohshita¹、Itaru Kamiya¹ (1.Toyota tech. inst.)

15:45 〜 16:00

[22p-D316-11] 面発光型量子カスケードレーザの高出力化に向けた素子構造検討

〇橋本玲¹、角野努¹、金子桂¹、斎藤真司¹、谷村景貴²、高木茂行²、姚遠昭³、池田直樹³、杉本善正³、間野高明³、黒田隆³、迫田和彰³ (1.東芝　CMC、2.東京工科大、3.NIMS)

16:00 〜 16:15

[22p-D316-12] 低対称ピラーを有するフォトニック結晶面発光型量子カスケードレーザの発振特性

〇斎藤真司¹、金子桂¹、橋本玲¹、角野努¹、谷村景貴²、高木茂行²、姚遠昭³、池田直樹³、杉本喜正³、間野高明³、黒田隆³、迫田和彰³ (1.東芝生産技術センター、2.東京工科大、3.物材研)

16:15 〜 16:30

[22p-D316-13] 非平衡グリーン関数法による高アルミニウム組成のInAlAs障壁と高インジウム組成のInGaAs井戸を持つ量子カスケードレーザの設計

〇(PC)谷村景貴¹、高木茂行¹、角野努²、橋本玲²、金子桂²、斎藤真司² (1.東京工科大工、2.東芝)

16:30 〜 16:45

[22p-D316-14] InGaAs/GaAsP超格子構造において障壁層のP組成変化がもたらす歪み補償と間接遷移バンドのキャリア輸送特性への影響

〇碇哲雄¹、古川諒¹、山本尚輝¹、杉山正和²、福山敦彦¹ (1.宮崎大工、2.東大先端研)

16:45 〜 17:00

[22p-D316-15] ハライド混晶ペロブスカイト CsPb(I_xBr_1-x)₃の安定性：第一原理計算による検討

〇(M1)冨田愛美¹、中山隆史¹ (1.千葉大理)

17:00 〜 17:15

[22p-D316-16] CdSeナノプレートレットによる共振器ポラリトンの室温形成と発光緩和過程

〇小田勝¹、松尾洋希¹、中石勝之介¹、大和千晃¹、近藤久雄² (1.九工大院工、2.愛媛大院工)

一般セッション(ポスター講演)

[23a-P02-1~14] 13.8 光物性・発光デバイス

2022年3月23日(水) 09:30 〜 11:30 P02 (ポスター)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[23a-P02-1] LaOF : Yb, Ho蛍光体のアップコンバージョン発光と温度感度

〇野中俊宏¹、杉浦藤虎¹、塚本武彦¹、山本伸一² (1.豊田高専、2.龍谷大理工)

09:30 〜 11:30

[23a-P02-2] LaF₃ : Yb, Ho蛍光体の発光特性と結晶構造

〇野中俊宏¹、天野翔太¹、加藤綜一郎¹、杉浦藤虎¹、塚本武彦¹、山本伸一² (1.豊田高専、2.龍谷大理工)

09:30 〜 11:30

[23a-P02-3] Cs₃Cu₂I₅の発光に関する研究

〇(M1)西原睦喜¹、奥野剛史¹ (1.電通大)

09:30 〜 11:30

[23a-P02-4] CaS:Eu²⁺, Mn²⁺赤色残光蛍光体の発光特性

〇井口一秋¹、奥野剛史¹、田村祐樹¹、山口翔太¹ (1.電通大基盤理工)

09:30 〜 11:30

[23a-P02-5] Crイオン添加Sb₂O₃-ZnO-GeO₂ 系ガラス蛍光体の近赤外広帯域発光

〇七井靖¹ (1.防衛大)

09:30 〜 11:30

[23a-P02-6] 電子ビーム蒸着法により成膜した ZnS:Mn 薄膜の発光特性と膜厚の関係

〇(B)池田隼人¹、北脇大靖¹、和迩浩一¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

09:30 〜 11:30

[23a-P02-7] Pr³⁺賦活CaHfO₃-CaTaO₂Nペロブスカイト固溶体のバンドギャップ制御と発光特性

〇佐藤泰史¹、柳本理江¹、垣花眞人^2,3 (1.岡山理大理、2.大阪大産研、3.東北大多元研)

09:30 〜 11:30

[23a-P02-8] CdSe/ZnSコアシェル型コロイド状量子ドットを用いた塗布法による面発光レーザの作製(2)

二星亘輝¹、道島拓郎¹、岡本征洋²、桐山博光²、〇大谷直毅¹ (1.同志社大学理工、2.量研関西研)

09:30 〜 11:30

[23a-P02-9] BaTiO₃を用いた低電圧で駆動する交流型TDELの特性評価

〇(M1)北脇大靖¹、和迩浩一¹、今井崇人¹、山本伸一¹ (1.龍谷大院工)

09:30 〜 11:30

[23a-P02-10] ワイヤレス電力伝送で駆動する無機ELに及ぼすコイル形状の評価

〇佐藤大樹¹、北脇大靖¹、和迩浩一¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

09:30 〜 11:30

[23a-P02-11] 両面発光分散型無機ELデバイスの特性評価

〇都倉周平¹、佐藤大樹¹、北脇大晴¹、和述浩一¹、山本伸一¹ (1.龍谷大)

09:30 〜 11:30

[23a-P02-12] 第一原理計算によるAl_1-xSc_xNの光学特性と電子状態

〇河野翔也¹、平田研二²、中村和磨¹ (1.九工大工、2.産総研)

09:30 〜 11:30

[23a-P02-13] PbS-X (X=I, Br)量子ドット薄膜の光物性と光励起キャリアダイナミクス

〇河田雄仁¹、小栗直樹¹、劉東¹、丁超¹、豊田太郎¹、早瀬修二¹、沈青¹ (1.電通大情報理工)

09:30 〜 11:30

[23a-P02-14] 無機ハロゲン化ペロブスカイト量子ドットの合成と光物性

〇淵本秋人¹、丁超¹、李花¹、矢嶋祥太¹、豊田太郎¹、早瀬修二¹、増田泰造^1,2、沈青¹ (1.電通大基盤理工、2.トヨタ自動車)

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[22a-D316-1~7] 13.8 光物性・発光デバイス

[22p-D316-1~16] 13.8 光物性・発光デバイス

△ [22p-D316-3] 狭帯域蛍光体開発のための局所構造の類似度を用いた探索手法

▲ [22p-D316-4] Revisiting the Eu2+ emission in CaAlSiN3 (CASN) red phosphor by time-resolved spectroscopy

△ [22p-D316-6] KSrPO4:Euにおける電荷補償欠陥を介した永続的光還元のモデル

△ [22p-D316-7] Eu3+添加Sr2CaWO6蛍光体におけるEu3+サイト分布と発光特性への影響

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△ [22p-D316-6] KSrPO₄:Euにおける電荷補償欠陥を介した永続的光還元のモデル

△ [22p-D316-7] Eu³⁺添加Sr₂CaWO₆蛍光体におけるEu³⁺サイト分布と発光特性への影響

▼ [22p-D316-10] Photoluminescence enhancement of InAs surface quantum dots by Al₂O₃ passivation