〇Gan Li¹、 Hassanet Sodabanlu²、 Maui Hino¹、 Meita Asami¹、 Kentaroh Watanabe²、 Masakazu Sugiyama^1,2、 Yoshiaki Nakano¹ (1.The Univ. of Tokyo、2.RCAST, the Univ. of Tokyo)

11:00 〜 11:15

▼ [16a-A304-7] Optimization of base layer thickness in rear hetero-junction InGaAs cell for four-junction applications

〇Depu Ma¹、 Gan Li¹、 Meita Asami¹、 Kentaroh Watanabe²、 Hassanet Sodabanlu²、 Masakazu Sugiyama^1,2、 Yoshiaki Nakano¹ (1.The Univ. of Tokyo、2.RCAST, the Univ. of Tokyo)

11:15 〜 11:30

[16a-A304-8] 直接ウエハ接合によるInGaP/GaAs/In_xGa_1-xAs//In_yGa_1-yAs 4接合太陽電池の開発

〇島崎嵩士¹、渡辺健太郎²、ソダーバンルハッサネット²、中野義昭¹、杉山正和^1,2 (1.東京大工、2.東大先端研)

一般セッション(口頭講演)

[16p-A304-1~13] 13.9 化合物太陽電池

2023年3月16日(木) 13:00 〜 16:30 A304 (6号館)

反保衆志(産総研)、野瀬嘉太郎(京大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:00 〜 13:15

[16p-A304-1] Cu(In,Ga)Se₂太陽電池のエッチング素子分離による高効率化

〇西永慈郎¹、上川由紀子¹、柴田肇¹、石塚尚吾¹ (1.産総研)

13:15 〜 13:30

△ [16p-A304-2] カーネル法を用いた CIGS 太陽電池の最適設計

〇河西竜輝¹、船木顕広¹、福田遼太郎¹、西村昂人¹、山田明¹ (1.東工大工)

13:30 〜 13:45

[16p-A304-3] 同一基板上に試作した太陽電池-光電極一体型Cu(In,Ga)Se₂水分解デバイス

〇植田かな¹、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

13:45 〜 14:00

[16p-A304-4] 伝導帯下端を制御したCu(In,Ga)Se₂光電極によるCO₂還元の検討

〇岡田一真¹、植田かな¹、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

14:00 〜 14:15

[16p-A304-5] PGSカソードを用いたスパッタリング法によるSnS薄膜の作製

〇野上大一¹、鈴木一誓¹、小俣孝久¹ (1.東北大)

14:15 〜 14:30

[16p-A304-6] 太陽電池の光吸収層に向けた静電噴霧堆積法によるSnS薄膜の堆積

〇庄司拓真¹、友野恵介¹、大久保慶人¹、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

14:30 〜 14:45

[16p-A304-7] SPS 法による Cu₂ZnSnS₄バルク結晶の作製と評価 Ⅵ

〇吉井葉月¹、小倉雅俊¹、栗林新¹、大石耕一郎¹、青柳成俊¹、島宗洋介¹、竹内麻希子¹ (1.長岡高専)

15:00 〜 15:15

[16p-A304-8] フォトリフレクタンス法を用いたn型半導体/ZnSnP₂界面の調査

〇住吉壱心¹、野瀬嘉太郎¹ (1.京大院工)

15:15 〜 15:30

[16p-A304-9] MBEによるn型CdSnP₂の成膜

〇(M1)三浦颯斗¹、住吉壱心¹、野瀬嘉太郎¹ (1.京大院工)

15:30 〜 15:45

▲ [16p-A304-10] Oxygen Partial Pressure Dependence Effect to Mo-doped BiVO₄ Thin-Film Photoanode Performance Sputtered by Single Target Radio Frequency

〇(D)Lingga Ghufira Oktariza¹、 Namiki Uezono¹、 Yuta Sato¹、 Shukur Gofurov¹、 Muhammad Monirul Islam¹、 Shigeru Ikeda²、 Takeaki Sakurai¹ (1.University of Tsukuba、2.Konan University)

15:45 〜 16:00

[16p-A304-11] 酸化物太陽電池の陽子線照射挙動

〇川原田義幸¹、鹿野文寿¹、藤田敏之¹、塩川美雪¹、大西春樹¹、山下勝也¹、保西祐弥²、芝崎聡一郎²、山本和重² (1.東芝エネルギーシステムズ、2.東芝)

16:00 〜 16:15

[16p-A304-12] Cu₃N薄膜及びCu₂O薄膜のO₂アニール処理による電気抵抗低減

〇(M1)伊勢真矢¹、金井雄介¹、石川博康^1,2 (1.芝浦工大、2.グリーンエレクトロニクス国際研究研究センター)

16:15 〜 16:30

[16p-A304-13] RFマグネトロンスパッタリング法によるCu₃N薄膜の作製及び
N₂雰囲気アニールによるp型伝導の観測

〇中村陽紀¹、石川博康^1,2、藤中将人¹、片桐翔¹ (1.芝浦工大、2.グリーンエレクトロニクス国際研究研究センター)

一般セッション(ポスター講演)

[17p-PB03-1~7] 13.9 化合物太陽電池

2023年3月17日(金) 13:30 〜 15:30 PB03 (ポスター)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:30 〜 15:30

[17p-PB03-1] スパッタガス圧力がフレキシブル基板上に成膜したMo導電膜の曲げ耐性に与える影響

〇竹内佑¹、前田拓人¹、高橋拓也¹、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

13:30 〜 15:30

[17p-PB03-2] Ge/(Ge+Sn)組成比がCu₂(Sn,Ge)S₃薄膜太陽電池の電気特性に与える影響

〇(M1)大橋零¹、金井綾香¹、荒木秀明²、田中久仁彦¹ (1.長岡技大、2.長岡高専)

13:30 〜 15:30

[17p-PB03-3] 同時蒸着法を用いたCu₂Sn_1-xGe_xS₃薄膜太陽電池の作製

〇田崎傑士¹、荒木秀明¹ (1.長岡高専)

13:30 〜 15:30

[17p-PB03-4] 同時蒸着法を用いた(Ge, Sn) S薄膜太陽電池の作製

〇茂田井大輝¹、荒木秀明¹ (1.長岡高専)

13:30 〜 15:30

[17p-PB03-5] 分子線エピタキシー法によるZnTeO薄膜の成長と光電極への応用

〇園山天暉¹、齊藤勝彦¹、郭其新¹、池田茂²、田中徹¹ (1.佐賀大院理工、2.甲南大)

13:30 〜 15:30

[17p-PB03-6] ClドープZnCdTeO中間バンド型太陽電池の光電変換特性の温度依存性

〇谷大樹¹、齊藤勝彦¹、郭其新¹、田中徹¹ (1.佐大理工)

13:30 〜 15:30

[17p-PB03-7] ZnO/CuBr_1-xI_x透明微細構造太陽電池の構造改善

〇辻本直也¹、玉井大吉¹、藤島睦¹、金井綾香¹、田中久仁彦¹ (1.長岡技大)

セッション一覧

13 半導体 » 13.9 化合物太陽電池

[16a-A304-1~8] 13.9 化合物太陽電池

[16a-A304-1] InGaAs/GaAsP波状超格子(WoW)太陽電池構造のフォトルミネセンススペクトルにおける励起光強度依存症

△ [16a-A304-2] 薄膜中間バンド型太陽電池におけるGaSb/GaAs量子リングの多積層化

▼ [16a-A304-3] Assessing Silicon Nanowires as a Bottom Cell Material for III-V Multijunction Solar Cells using Thin InGaP/GaAs Filter

▲ [16a-A304-4] Polarity dependence of the properties of GaAs solar cells

[16a-A304-5] ブロック共重合体を用いた裏面光散乱構造を有する極薄GaAs太陽電池の作製

▲ [16a-A304-6] Low-temperature photoluminescence investigation of p-type C-doped AlGaAs grown by MOVPE on vicinal substrates

▼ [16a-A304-7] Optimization of base layer thickness in rear hetero-junction InGaAs cell for four-junction applications

[16a-A304-8] 直接ウエハ接合によるInGaP/GaAs/In_xGa_1-xAs//In_yGa_1-yAs 4接合太陽電池の開発

[16p-A304-1~13] 13.9 化合物太陽電池

[16p-A304-1] Cu(In,Ga)Se₂太陽電池のエッチング素子分離による高効率化

△ [16p-A304-2] カーネル法を用いた CIGS 太陽電池の最適設計

[16p-A304-3] 同一基板上に試作した太陽電池-光電極一体型Cu(In,Ga)Se₂水分解デバイス

[16p-A304-4] 伝導帯下端を制御したCu(In,Ga)Se₂光電極によるCO₂還元の検討

[16p-A304-5] PGSカソードを用いたスパッタリング法によるSnS薄膜の作製

[16p-A304-6] 太陽電池の光吸収層に向けた静電噴霧堆積法によるSnS薄膜の堆積

[16p-A304-7] SPS 法による Cu₂ZnSnS₄バルク結晶の作製と評価 Ⅵ

[16p-A304-8] フォトリフレクタンス法を用いたn型半導体/ZnSnP₂界面の調査

[16p-A304-9] MBEによるn型CdSnP₂の成膜

▲ [16p-A304-10] Oxygen Partial Pressure Dependence Effect to Mo-doped BiVO₄ Thin-Film Photoanode Performance Sputtered by Single Target Radio Frequency

[16p-A304-11] 酸化物太陽電池の陽子線照射挙動

[16p-A304-12] Cu₃N薄膜及びCu₂O薄膜のO₂アニール処理による電気抵抗低減

[16p-A304-13] RFマグネトロンスパッタリング法によるCu₃N薄膜の作製及び
N₂雰囲気アニールによるp型伝導の観測

[17p-PB03-1~7] 13.9 化合物太陽電池

[17p-PB03-1] スパッタガス圧力がフレキシブル基板上に成膜したMo導電膜の曲げ耐性に与える影響

[17p-PB03-2] Ge/(Ge+Sn)組成比がCu₂(Sn,Ge)S₃薄膜太陽電池の電気特性に与える影響

[17p-PB03-3] 同時蒸着法を用いたCu₂Sn_1-xGe_xS₃薄膜太陽電池の作製

[17p-PB03-4] 同時蒸着法を用いた(Ge, Sn) S薄膜太陽電池の作製

[17p-PB03-5] 分子線エピタキシー法によるZnTeO薄膜の成長と光電極への応用

[17p-PB03-6] ClドープZnCdTeO中間バンド型太陽電池の光電変換特性の温度依存性

[17p-PB03-7] ZnO/CuBr_1-xI_x透明微細構造太陽電池の構造改善

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△ [16a-A304-2] 薄膜中間バンド型太陽電池におけるGaSb/GaAs量子リングの多積層化

▼ [16a-A304-3] Assessing Silicon Nanowires as a Bottom Cell Material for III-V Multijunction Solar Cells using Thin InGaP/GaAs Filter

▲ [16a-A304-4] Polarity dependence of the properties of GaAs solar cells

▲ [16a-A304-6] Low-temperature photoluminescence investigation of p-type C-doped AlGaAs grown by MOVPE on vicinal substrates

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[16p-A304-1~13] 13.9 化合物太陽電池

△ [16p-A304-2] カーネル法を用いた CIGS 太陽電池の最適設計

▲ [16p-A304-10] Oxygen Partial Pressure Dependence Effect to Mo-doped BiVO4 Thin-Film Photoanode Performance Sputtered by Single Target Radio Frequency

[17p-PB03-1~7] 13.9 化合物太陽電池

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▲ [16p-A304-10] Oxygen Partial Pressure Dependence Effect to Mo-doped BiVO₄ Thin-Film Photoanode Performance Sputtered by Single Target Radio Frequency