[15a-B410-1~9] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[15a-B410-2] Evaluation of Variation in Sheet Resistance of MOSFET using Minimal-Fab Spin-on Dopant Process

〇Shuhei Nakamichi¹, Hiroyoshi Hongoh¹, Noriko Miura¹, Fumito Imura^2,3, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2,3 (1.MinimalFab, 2.AIST, 3.Hundred)

Keywords:minimalFab, SOD Coat, Spin-coater

ミニマルファブではMOSFETデバイスの不純物拡散にSOD材料によるスピンコートを実施している。
前回発表では、改善したnMOSFETプロセスでドーピングの面内均一性が悪化した結果になった。
前回の結果を検証し、ウェハの径方向の面内均一性にばらつきは無く均一であった。
今回は同様にpMOSFETのドーピングの面相均一性を評価し、その結果を報告する。