2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15a-B410-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2023年3月15日(水) 09:00 〜 11:30 B410 (2号館)

岡田 竜弥(琉球大)、呉 研(日大)

11:15 〜 11:30

[15a-B410-9] ミニマルイオン注入装置の開発 (IV)

三浦 典子1、橋本 直樹2、北村 是尊2、居村 史人3,4、石田 夕起1,3、クンプアン ソマワン1,3、原 史朗1,3,4 (1.ミニマルファブ推進機構、2.フジインバック、3.産総研、4.(株)Hundred Semiconductors)

キーワード:ミニマルファブ、イオン注入

我々はミニマルファブの開発の一環として、イオン注入装置の開発も行っている。既に、リン注入装置では、デバイスプロセスに適用可能な注入特性を得ている。本研究では、未報告のボロン注入装置について、そのプロセス性能を報告する。