2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[17p-A205-1~18] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2023年3月17日(金) 13:00 〜 17:45 A205 (6号館)

唐橋 一浩(阪大)、藤崎 寿美子(日立製作所)

16:30 〜 16:45

[17p-A205-14] フッ化タングステンイオンによるSiおよびSiO2エッチング反応の評価

〇(M1)川畑 竣大1、伊藤 智子1、Kang Song-Yun2、Lee Dongkyu2、唐橋 一浩1、浜口 智志1 (1.阪大院工、2.Samsung Electronics)

キーワード:高アスペクト比エッチング、イオンビーム