フッ化タングステンイオンによるSiおよびSiO<sub>2</sub>エッチング反応の評価

講演情報

一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2023年3月17日(金) 13:00 〜 17:45 A205 (6号館)

唐橋一浩(阪大)、藤崎寿美子(日立製作所)

16:30 〜 16:45

〇(M1)川畑竣大¹、伊藤智子¹、Kang Song-Yun²、Lee Dongkyu²、唐橋一浩¹、浜口智志¹ (1.阪大院工、2.Samsung Electronics)

キーワード：高アスペクト比エッチング、イオンビーム