[17p-A205-1~18] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[17p-A205-17] SiGe/Si Selective Etching using F, N and CF radicals via Ab-initio Calculations

〇RYOKO SUGANO¹, TAKU IWASE¹, KENICHI KUWAHARA² (1.Hitachi R&D Group, 2.Hitachi High-tech)

Keywords:SiGe/Si selective etching, radical etching

F，CF及びNラジカルを用いたSiGe/Si選択エッチングに関して第一原理計算解析を行った。Si(Ge)F3構造が遷移状態を経てSi(Ge)F4で脱離すると仮定して脱離バリアを計算した。GeF-Si(Ge)F3構造の脱離バリアはSiF-Si(Ge)F3構造と比較して約1/2に低下する。SiGe表面ではSi表面より低い脱離バリアのもとでエッチングが進行しSiGe/Si選択性が発現すると考えられる。